20世纪50年代初期，电子学中半导体材料崛起，观察到半导体的电性能与杂质含量有关。由于重金属杂质具有电活性，严重降低单晶硅中载流子寿命，所以其含量需在1ng/g或0.1ng/g以下，测定杂质含量在10-6%—10-8%或更低。半导体材料使人们认识到痕量元素在超纯材料中的重要性，从而开辟了痕量分析的新时代。